Инновационные технологии в области обработки кремния

Компания обладает уникальной в России запатентованной технологией и оборудованием для выращивания гетероструктур SiC/Si методами эндотаксии и эпитаксии

• Использование гетероструктуры SiC/Si значительно удешевляет процесс производства
• Разработанный метод позволяет получать более совершенные пленки с меньшим количеством дефектов за счет роста SiC внутри монокристаллической подложки Si
• Данные структуры пригодны для эксплуатации в экстремальных условиях