Бетавольтаические источники питания и комплексы
Источник питания, изготовленный на полупроводниковой структуре SiC/Si, легированной углеродом-14. Принцип работы бетавольтаического источника питания основан на преобразовании энергии бета-распада в электрическую.
Источник питания предназначен для питания микроэлектронных устройств, критических компонентов и оборудования в жестких условиях эксплуатации (экстремально низкие и высокие температуры, высокое давление).
Бетавольтаический источник питания обладает большой продолжительностью работы (не менее 100 лет), что гарантирует бесперебойное электропитание без необходимости обслуживания в течение всего периода эксплуатации электронных устройств.
Бетавольтаический комплекс представляет собой бетавольтаический источник питания на основе структур SiC/Si с реализованной схемой усиления для использования в качестве импульсного источника питания мощностью до 10 мВт c⁻¹.
Параметры полупроводниковой структуры SiC/Si, легированной углеродом-14
- Номинальный ток (c кристалла типоразмера 20х20х0.48 мм): от 10 мкА до 400 мкА
- Напряжение на выходе (c кристалла типоразмера 20х20х0.48 мм): от 10 мВ до 0.4 В
- Адаптация типоразмеров источника питания под требования заказчика, масштабирование для накопителей и аккумуляторов
- Сборка источника питания в металлическом корпусе в соответствии с требованиями к ЗРИ (класс опасности 4-5) для использования в коммерческих целях
Технология изготовления
- Технология изготовления бета-энергопреобразователя на SiC, где в качестве источника ионизирующего излучения (бета-источника) выступает радионуклид С-14. Ключевое отличие технологии заключается в том, что полупроводниковый материал преобразователя и источник излучения объединены в одном материале.
- Патент
- Гетероструктуры SiC/Si являются закрытыми радионуклидными источниками посредством поглощения полупроводниковым преобразователем всей энергии и полным ее преобразованием во всем спектре энергий от 2,2 эВ до 156 кэВ.
- Слой карбида кремния является радиационностойким материалом. Дефектообразования не происходит во всем энергетическом спектре излучения до&nsp;200 кэВ.
Мы предлагаем индивидуальные устройства требуемых характеристик и типоразмеров на заказ
Сферы применения
- Космические и межпланетные системы
- Космические аппараты, межпланетные станции, спутники (особенно в зонах с низким потоком солнечного излучения)
- Системы телеметрии, регенерации воды, хранения информации
- Гибридные системы питания микроспутников и фотобетапреобразователи
- Беспилотные летательные аппараты (БПЛА)
- Системы питания, резервирования, хранения/передачи информации и телеметрии
- Медицинские устройства
- Кардио- и нейростимуляторы, ушные/глазные имплантаты, биоэлектрические протезы
- Микроэлектроника и нанотехнологии
- Устройства с энергонезависимым питанием (МЭМС/НЭМС), системы энергоснабжения SRAM-памяти
- Удаленные и экстремальные наземные условия
- Арктика, Севморпуть, маломощные IoT-устройства в труднодоступных районах
- Маяки, метеостанции, подземные/подводные системы контроля (нефтепроводы, газопроводы, сейсмодатчики)
- Промышленный мониторинг и безопасность
- Контроль промышленных объектов (трубопроводы, энергетические магистрали, подземные датчики)
- Системы безопасности капитальных сооружений (мосты, морские конструкции, ж/д магистрали)
- Транспорт и IoT
- Автономное питание «умного автомобиля», RFID-метки, имплантированные микросхемы
- Военные и защитные системы
- Системы физической защиты, разведки, слежения, аварийные системы, антивирусные мембраны