HTCVD-установки для выращивания гетероструктур SiC/Si
Установки предназначены для выращивания гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Данная технология позволяет создавать высокоточные и сверхнадежные элементы современной электроники, способные работать в экстремальных условиях.
Основные параметры
- Основные температурные режимы HTCVD-установки:
- Космические аппараты, межпланетные станции, спутники (особенно в зонах с низким потоком солнечного излучения)
- дегазация подложкодержателей (среда: аргон, вакуум, водород): не менее 450 °С
- финишное химическое травление подложки кремния: не менее 1100 °С
- формирование гетероструктуры SiC/Si: не менее 1360 °С
- скорость охлаждения: не более 15 °С/мин
- Расход газов:
- водорода на дегазацию, финишное химическое травление, формирование гетероструктур: не менее 1 л/мин
- аргона на продувку после процесса выращивания пленки: не менее 0,5 л/мин
- Время процессов:
- финишного химического травления подложек: не менее 15 мин
- формирования гетероструктур: не менее 90 мин
- Предельное остаточное давление в камере: 6.7×10⁻⁴ мбар
- Скорость откачки вакуума в камере: 17 м³/ч
- Количество линий подачи газа: 5
HTCVD-реактор для высокотемпературного роста полупроводниковых пленок карбида кремния из газовой фазы на подложках кремния Идеально для получения структур экстремальной электроники:
- фотодиодов, солнечных элементов для экстремальных условий
газовых высокотемпературных датчиков - высокотемпературных тензодатчиков
акселерометров - базовых полупроводниковых чувствительных элементов деформации/силы для создания на их основе датчиков ускорения, расхода газо-жидкостных потоков, давления и др., работающих при температурах 300 — 400°С в зависимости от вида структуры
- высокотемпературных фотовольтаических элементов
- источников питания маломощной электроники на основе энергии бета-распада для автономных систем мониторинга (газопроводы, мосты, труднодоступные и удаленные объекты и т.д.)
Генератор водорода: основные параметры
- Производительность: 60 л/час
- Давление на выходе: 0.6 МПа
- Предельный расход воды: 0.12 л/час
- Чистота: 99.9999%
Технология запатентована
Патент
Возможно изготовление специализированной HTCVD-установки для выращивания полупроводниковых гетероструктур SiC/Si под технологические процессы заказчика
Электрические характеристики комплектующих
Генератор индукционного нагрева
- Мощность (задана заводом-изготовителем): 60 кВт
- Частота, кГц: от 8 до 50
- Электрическая безопасность: в соответствии с ГОСТ 12.1.019-2017
Генератор водорода
- Мощность: 400 Вт
- Электропитание: от однофазной сети переменного тока напряжением 220 В ±10%, 50 Гц
- Электрическая безопасность: в соответствии с ГОСТ 12.1.019-2017
Электропитание блока управления HTCVD-реактора
- Электропитание: от однофазной сети переменного тока напряжением 220 В ±10%, 50 Гц
- Качество электроэнергии: в соответствии с ГОСТ 13109-97
- Дополнительный параметр: каждая линия должна иметь УЗО (≤ 30 мА) и автоматический выключатель, расположенный в доступном для персонала месте