Мы предлагаем индивидуальные устройства требуемых характеристик и типоразмеров на заказ
- Использование гетероструктуры SiC/Si значительно удешевляет процесс производства по сравнению с производством монокристаллических пластин SiC
- Разработанный метод позволяет получать более совершенные пленки с меньшим количеством дефектов за счет роста SiC внутри монокристаллической подложки Si
- Данные структуры пригодны для эксплуатации в экстремальных условиях
Характеристики гетероструктур SiC/Si
- Ширина запрещённой зоны SiC-фазы, эВ: 2.36
- Кристаллическая структура SiC: Кубическая
- Постоянная решетки, Å: 4.3596
- Метод роста : Эндотаксия/эпитаксия
- Установка роста : HTCVD-установка
- Диаметр подложки кремния, мм: 50, 76, 100
- Плотность дислокаций, см⁻²: < 5×10⁴
- Кристаллографическая ориентация: (111), (100)
- Конфигурации типа проводимости и гетеропереходов: n-SiC/n-Si, p-SiC/p-Si, n-SiC/p-Si, p-SiC/n-Si, p-n переход в SiC/Si (глубина залегания от 500 нм до 5 мкм), SiC/ p-n переход в Si (глубина залегания не больше 3 мкм), p-тип (легирующая примесь – Ga, B), n-тип (легирующая примесь – P, N)
- Функциональность гетеропереходов: Изолирующие для тензо- и газовых датчиков, и структур с p-n в SiC-фазе. Встроенное электростатическое поле для энергопреобразователей и термодатчиков
- Удельное сопротивление пленки SiC, Ом*см: 1÷3000
- Конфигурация обработки поверхности пластины кремния: Двухсторонняя, односторонняя
- Концентрация неосновных носителей заряда: 10¹¹÷10¹⁹ см⁻³
- Шероховатость поверхности: < 100 нм
- Толщина плёнки карбида кремния: От 500 нм до 10 мкм
- Технико-экономическая эффективность: На два порядка дешевле гомоэпитаксиальных структур, в том числе для сверхярких светодиодов
- Пористость: Задается на этапе подготовки Si-подложки методом электрохимического травления
Технология выращивания гетероструктур SiC/Si
Установки предназначены для выращивания гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Данная технология позволяет создавать высокоточные и сверхнадежные элементы современной электроники, способные работать в экстремальных условиях.