Бетавольтаника

Тензочувствительные элементы

Принцип работы тензочувствительных элементов на основе гетероструктур SiC/Si основан на изменении электрического сопротивления материала при его деформации. При деформации материала изменяется расстояние между атомами, что приводит к изменению проводимости. Это изменение проводимости можно измерить и преобразовать в электрический сигнал.

Преимущества гетероструктур SiC/Si в производстве тензочувствительных элементов

  • Во-первых, их высокая прочность и жесткость позволяет создавать более точные и надежные устройства
  • Во-вторых, высокая теплопроводность способствует эффективному отведению тепла и снижению вероятность перегрева
  • В-третьих, высокая устойчивость к коррозии и химическим воздействиям расширяет область их применения

Параметры тензочувствительных структур на основе гетеропереходов SiC/Si

  • Пределы измерений: 0,01-100 МПа
  • Перегрузка: 5000 кПа
  • Рабочая среда: газ, жидкость
  • Тензочувствительность: до 30
  • Потребляемая мощность: 0,5-1 Вт
  • Потребляемый ток: 2 мА
  • Средняя наработка на отказ: не менее 100000 ч
  • Полный срок службы: 15 лет
  • Типоразмер чувствительного элемента: 2.5х2,5 мм
  • Рабочие температуры: -100..+600 ℃ – в металлическом корпусе мембранного типа, -50 .. 200 ℃ – в пластиковом корпусе

Сферы применения тензочувствительных элементов

  • Системы мониторинга состояния конструкций в строительной отрасли
  • Cистемы контроля устойчивости и системы антиблокировки тормозов автомобилей
  • Датчики нагрузки и ускорения для космической и аэрокосмической отрасли
  • Датчики давления и пульса в медицине
  • Датчики давления в системах газового оборудования
Напишите нам и мы свяжемся с вами

Оставьте заявку и мы с вами свяжемся в ближайшее время