Тензочувствительные элементы
Принцип работы тензочувствительных элементов на основе гетероструктур SiC/Si основан на изменении электрического сопротивления материала при его деформации. При деформации материала изменяется расстояние между атомами, что приводит к изменению проводимости. Это изменение проводимости можно измерить и преобразовать в электрический сигнал.
Преимущества гетероструктур SiC/Si в производстве тензочувствительных элементов
- Во-первых, их высокая прочность и жесткость позволяет создавать более точные и надежные устройства
- Во-вторых, высокая теплопроводность способствует эффективному отведению тепла и снижению вероятность перегрева
- В-третьих, высокая устойчивость к коррозии и химическим воздействиям расширяет область их применения
Параметры тензочувствительных структур на основе гетеропереходов SiC/Si
- Пределы измерений: 0,01-100 МПа
- Перегрузка: 5000 кПа
- Рабочая среда: газ, жидкость
- Тензочувствительность: до 30
- Потребляемая мощность: 0,5-1 Вт
- Потребляемый ток: 2 мА
- Средняя наработка на отказ: не менее 100000 ч
- Полный срок службы: 15 лет
- Типоразмер чувствительного элемента: 2.5х2,5 мм
- Рабочие температуры: -100..+600 ℃ – в металлическом корпусе мембранного типа, -50 .. 200 ℃ – в пластиковом корпусе
Сферы применения тензочувствительных элементов
- Системы мониторинга состояния конструкций в строительной отрасли
- Cистемы контроля устойчивости и системы антиблокировки тормозов автомобилей
- Датчики нагрузки и ускорения для космической и аэрокосмической отрасли
- Датчики давления и пульса в медицине
- Датчики давления в системах газового оборудования